一、半導體制造中氧監測的重要性與難點

在半導體制造過程中，氧污染會引發不必要的氧化反應，導致集成電路和硅片產生缺陷，進而破壞薄膜結構的完整性，嚴重影響產品的均勻性與可靠性。因此，半導體制造商必須對工藝氣體及設備腔室中的氧含量進行嚴格監控，即便是微量氧氣（低至ppm級）也可能顯著損害元件性能。

目前，半導體工藝氣體中的氧監測主要面臨以下技術難點：

• 需實現10 ppm以下超低濃度氧的精確檢測；

• 需支持真空環境下的持續氧濃度監測；

• 需在還原性氣氛中確保設備安全穩定運行。

在眾多氣體檢測技術中，氧化鋯傳感器分析技術因其響應速度快、測量精度高、量程范圍廣、穩定性強及使用壽命長等優勢，成為半導體行業氧濃度監測的理想選擇。

另一方面，實現該類儀器的國產化已成為國家戰略層面的迫切需求。目前微量氧分析設備仍主要依賴歐美日進口。根據2025年《政府工作報告》的要求，突破關鍵核心技術、推動國產替代，對保障產業鏈安全具有重大意義。

二、四方儀器的解決方案與創新實踐

四方儀器長期專注于氧化鋯傳感器及氣體分析儀的研發與推廣。為滿足半導體及電子行業對低濃度氧氣檢測日益提升的需求，公司成功開發出Gasboard-3050系列低濃度氧氣分析儀。該系列產品分辨率達0.1 ppm，量程覆蓋0–10 ppm至100% O?，搭載經現場驗證的氧化鋯傳感器，具備優異的再現性與高速響應特性。

圖1 四方光電氧化鋯傳感器生產線及不同類型氧化鋯傳感器芯片產品

2.1 氧化鋯氧傳感器工作原理

氧化鋯是一種優良的固體電解質材料。傳統氧化鋯氧傳感器由多孔高溫陶瓷電解質管構成，管內外壁均涂覆多孔鉑層，分別作為陰極和陽極。傳感器內置高性能陶瓷加熱器與熱電偶探頭，共同維持可控的高溫環境（通常為650℃）。

圖2 氧化鋯氧傳感器原理圖

當溫度達到工作點時，氧化鋯內的氧離子變得高度活躍，可快速遷移以平衡兩側氧分壓差。若兩側氧分壓不同，便會在電極間產生電位差，其大小符合能斯特方程：

?

其中，E為電動勢（V），R為氣體常數，T為絕對溫度（K），F為法拉第常數，P?和P?分別為兩側氧分壓。

2.2 Gasboard-3052微量氧分析儀

該型號采用遠程原位傳感器設計，特別適用于需持續監測氧濃度的場景，如半導體設備、手套箱、氮氣管線、真空腔體及其他低氧/無氧環境。傳感器可直接通過真空接頭安裝于真空腔體，廣泛用于半導體制造、OLED生產、3D打印等使用惰性氣體的工業場合。其氧化鋯傳感器壽命長、穩定性高，在適當維護條件下可多年免更換。

圖3 Gasboard-3052微量氧分析儀

產品主要特點：

• 量程：0.1 ppm~1000 ppm，覆蓋多數半導體真空腔體監測需求；

• 法蘭接口，即插即用；

• 長效低溫氧化鋯傳感器；

• 支持真空環境運行；

• 泄漏率＜1×10?? mbar·L/s。

2.3 Gasboard-3053氧分析儀

該型號為抽取集成式設計，整合了寬量程氧化鋯傳感器、前處理單元和采樣泵，適用于除真空腔體外的多種應用場景，如SMT工藝中的回流焊爐等。

圖4 Gasboard-3053 氧分析儀

產品主要特點：

• 量程范圍寬：0.1 ppm~100%，適應濃度波動大的場合；

• 壓力變化自適應：內置壓力傳感器，可補償氣體壓力微小變化，保證讀數穩定；

• 適用于還原性氣氛：當樣品含可燃物時，鉑催化劑確保氣體在接觸電極前達到平衡，從而準確測量總氧含量。

3. 典型應用場景

四方儀器Gasboard-3050系列可滿足半導體及相關領域絕大多數氧濃度監測需求，典型應用包括但不限于：